该类抑制器具有“电撬”特性，通常与4层NPNP硅控双极装置或等离子气体/GDT装置有关。
肖特基二极管是一种利用肖特基势垒工艺的二极管，和普通的PN结二极管相比。
通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。
通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。
工作时，栅源之间不加电压时，漏源之间PN结是反向的，所以不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，导电沟电是关闭的，就不会有电流通过。
导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
